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芯片研發(fā)過(guò)程中為什么要做HAST測(cè)試?

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芯片研發(fā)過(guò)程中為什么要做HAST測(cè)試?

海拓儀器 2025年06月26日 15:50 江蘇

在芯片研發(fā)的漫長(zhǎng)征程中,一款芯片從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)需要經(jīng)歷設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試四大環(huán)節(jié)。盡管測(cè)試環(huán)節(jié)占總成本底,但一旦忽略測(cè)試導(dǎo)致產(chǎn)品失效率過(guò)高,后期退貨和賠償?shù)膿p失可能遠(yuǎn)超節(jié)省的測(cè)試成本。在眾多可靠性測(cè)試方法中,HAST(高加速應(yīng)力測(cè)試)扮演著至關(guān)重要的角色。


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什么是HAST測(cè)試?

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HAST全稱(chēng)為Highly Accelerated Stress Test(高加速應(yīng)力測(cè)試),是一種通過(guò)對(duì)芯片施加高溫、高濕及高壓的極端環(huán)境條件,來(lái)加速模擬芯片長(zhǎng)期老化過(guò)程的可靠性測(cè)試方法。


HAST測(cè)試的核心是通過(guò)提升環(huán)境溫度、濕度及壓力,加速芯片內(nèi)部材料的物理和化學(xué)變化過(guò)程。在典型測(cè)試條件下,HAST測(cè)試能夠在短短幾天內(nèi)模擬出芯片在自然環(huán)境下數(shù)年的老化效果。測(cè)試目的明確聚焦于三點(diǎn):評(píng)估芯片在高溫高濕環(huán)境下的穩(wěn)定性;檢測(cè)可能由溫濕度引發(fā)的失效問(wèn)題;提供芯片可靠性的科學(xué)數(shù)據(jù)支持。


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與傳統(tǒng)的溫濕度測(cè)試(如85℃/85% RH穩(wěn)態(tài)測(cè)試)相比,HAST通過(guò)增加壓力容器內(nèi)的氣壓,實(shí)現(xiàn)了在超過(guò)100℃條件下精確控制溫濕度環(huán)境的能力,從而大大縮短了測(cè)試周期。


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為什么芯片研發(fā)必須進(jìn)行HAST測(cè)試?

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HAST測(cè)試能在研發(fā)階段模擬芯片數(shù)年的使用老化過(guò)程,提前暴露潛在可靠性問(wèn)題。通過(guò)加速芯片內(nèi)部物理化學(xué)變化,制造商可預(yù)判產(chǎn)品長(zhǎng)期性能,避免將存在隱患的芯片推向市場(chǎng)。


在測(cè)試過(guò)程中,HAST能識(shí)別出設(shè)計(jì)或制造環(huán)節(jié)的潛在缺陷:封裝材料選擇不當(dāng)、內(nèi)部連接可靠性不足、防潮性能薄弱點(diǎn)、金屬化區(qū)域腐蝕風(fēng)險(xiǎn)。這些發(fā)現(xiàn)為設(shè)計(jì)改進(jìn)提供了精準(zhǔn)方向,直接提升產(chǎn)品成熟度。


傳統(tǒng)可靠性測(cè)試耗時(shí)冗長(zhǎng),而HAST通過(guò)加速因子達(dá)幾十至數(shù)百倍的加速效果,將數(shù)月甚至數(shù)年的老化過(guò)程壓縮到數(shù)天內(nèi)完成,大幅縮短研發(fā)驗(yàn)證周期,搶占市場(chǎng)先機(jī)。


在產(chǎn)品上市前進(jìn)行HAST測(cè)試,可提前解決潛在缺陷,避免后期因質(zhì)量問(wèn)題導(dǎo)致的批量退貨損失、現(xiàn)場(chǎng)維修成本、品牌信譽(yù)損害、高額賠償支出。



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